高能所主页  English  联系我们

当前位置:首页 - 2005年高能新闻

 

 

同步辐射X射线光刻站研制成功两类高线密度钛特征线波带片


在本轮同步辐射专用运行期间,同步辐射X射线光刻技术研制高线密度钛特征线波带片工作取得了重要进展,我所同步辐射室与有关单位合作研制成功了两种类型的高线密度钛特征线波带片。(左图:暗场250nmFZP钛特征线波带片全貌图  右图:暗场150nmFZP钛特征线波带片的最外几环照片)

在X射线波段,各种材料的折射率均接近或小于1,常规的折射光学元件将无法使用,必须采用高线密度的波带片元件来实现X射线波段的聚焦、成像和色散。波带片的概念早在1871年就被Rayleigh发明,然而受制于微细加工技术能力,100多年来其应用一直受到极大限制。近二十年来得益于集成电路微细加工技术的迅猛发展,国际上许多新概念X射线衍射光学元件不断被提出和实现。

同步辐射专用运行期间,一些长期困扰该技术发展和应用的技术难题,如高线密度波带片微光刻图形数据处理、复杂图形的X射线掩模电子束光刻、深亚微米图形电镀、X射线曝光等问题得到解决 。在此基础上,同步辐射X射线光刻站研究人员采取有效技术措施,成功实现了波带片图形特征尺寸精确控制,最终研制成功两种类型的高线密度钛特征线波带片。

同步辐射X射线光刻技术是深亚微米、纳米复杂图形X射线衍射光学元件最为有效的先进加工方法之一。上述进展,将为X射线诊断技术的研究和发展提供有力支持;并能为光子晶体器件、分子电子器件等纳电子器件的研究提供优质的技术服务。

(同步辐射室 供稿)

 

 

 

2005年 - 2004年 - 2003年 - 2002年 - 2001年 - 2000年

 

 

 

 

Copyright ©1995 - 2005 All Rights Reserved 高能物理研究所 版权所有

地址:北京市918信箱 邮政编码:100049 电话:(010)88235007 (010)88236855 Email:ihep@mail.ihep.ac.cn