高能所主页|高能所主页所内版|新闻中心|2003年新闻首页

"基于北京正负电子对撞机的慢正电子强束流"在高能所研制成功,
填补了我国在此领域的空白

日前,由国家自然科学基金仪器专项和中科院大型科学仪器专项经费支持的重点项目"基于北京正负电子对撞机的慢正电子强束流"在高能所研制成功,慢正电子束流强度、亮度和单色性能均达到国际同等水平。

该项目的完成弥补了基于放射性同位素的慢正电子束流线正电子强度较弱的不足,拓展了慢正电子束设备在材料科学和微观核探针方法学中的应用领域,填补了我国在这一研究领域内的空白,并为进一步建立慢正电子湮没的寿命测量、正电子诱导俄歇电子能谱测量以及低能正电子衍射和正电子显微镜等方法奠定了基础。

慢正电子强束流系统总长15.6m,由三个90°弯管道和一个15°度弯管道以及正电子存贮和直流化系统等部分组成。加速器高能电子打靶产生的脉冲正电子经慢化体慢化之后,在2.5´10-7 Pa的超高真空中通过100高斯均匀轴向磁场的约束引入慢正电子实验厅。实验测量结果表明,慢正电子设备磁场输运系统的传输效率高于98%;脉冲慢正电子束流强度达到6x105个/秒;预计在北京正负电子对撞机重大改造工程(BEPCⅡ)后,束流强度可达108个/秒;正电子能量0~30kV范围内连续可调,能量分散度低于0.5%V;脉冲慢正电子束斑的直径小于15mm

(核分析室供稿)

 

Webmaster@www.ihep.ac.cn

本主页由高能物理研究所所办公室、计算中心制作维护
北京市918信箱 邮政编码:100049
电话:(010)88235007 (010)88236855
IE5.0浏览器,800X600分辨率
数据最后更新日期 03-10-08